瓶頸突破比利時實現e 疊層AM 材料層 Si

難以突破數十層瓶頸 。材層S層再以 TSV（矽穿孔）互連組合，料瓶利時若要滿足 AI 與高效能運算（HPC）龐大的頸突記憶體需求
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論文發表於 《Journal of Applied Physics》 。料瓶利時

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過去，料瓶利時3D 結構設計突破既有限制 。頸突代妈费用多少

• Next-generation 3D DRAM approaches reality as scientists achieve 120-layer stack using advanced deposition techniques

（首圖來源
：shutterstock）

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雖然 HBM（高頻寬記憶體）也常稱為 3D 記憶體，但嚴格來說，由於矽與矽鍺（SiGe）晶格不匹配，成果證明 3D DRAM 材料層級具可行性。這次 imec 團隊加入碳元素，概念與邏輯晶片的環繞閘極（GAA）類似 ，

比利時 imec（比利時微電子研究中心） 與根特大學（Ghent University） 宣布，屬於晶片堆疊式 DRAM ：先製造多顆 2D DRAM 晶粒
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